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美台二极管代理商

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美台二极管代理商
价格信息:
0.1
品牌:
DIODES
起订:
1
供货量:
10000000
发货期限:
3天
所在地:
深圳市龙华区东环
产品详情介绍

三极管的参数可分为直流参数、交流参数、极限参数、特征*。三极管的参数是使用与选用管时的重要依据,为此了解三极管的参数可避免选用或使用不当而引起管子的损坏。

1、直流参数

  *倍增用二极管对二极管的*倍增作用而言,有依靠变容二极管的*倍增和依靠阶跃即急变二极管的*倍增。*倍增用的变容二极管称为可变电抗器,可变电抗器虽然和自动*控制用的变容二极管的工作原理相同,但电抗器的构造却能承受大功率。阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管,从导通切换到关闭时的反向恢复时间trr短,因此,其特长是急速地变成关闭的转移时间显著地短。如果对阶跃二极管施加正弦波,那么,因tt转移时间短,所以输出波形急骤地被夹断,故能产生很多高频谐波。

  此时对应的电压称为反向击穿电压,用UBR表示,如图中CDC′D′段。温度对特性的影响由于二极管的核心是一个PN结,它的导电性能与温度有关,温度升高时二极管正向特性曲线向左移动,正向压降减小;反向特性曲线向下移动,反向电流增大。二极管的分类一按半导体材料分类二极管按其使用的材料可分为锗Ge二极管硅Si二极管*镓GaAs二极管磷化镓GaP二极管等。二按封装形式分类二极管按其封装形式可分为塑料二极管玻璃二极管金属二极管片状二极管无引线圆柱形二极管。

集电极—基极反向 电流I(CBO)。当发射极开路、在集电极与基极间加上规定的反向电压时,集电结中的漏电流就称I(CBO)此值越小表明 晶体管的热稳定性越好。一般小功率管约1OμA左右,硅管更小些。集电极一一发射极反向电流I(CBO)也称穿透电流。它是指基极开路时,在集电极与发射极之间加上规定的反向电压时,集电极的漏电流。此值越小越好。硅管一般较小,约在1μA以下。如果*中发现此值较大,此管就不易使用。

2、极限参数

  MOSFET的击穿有哪几种。SourceDrainGate场效应管的三极源级S漏级D栅级G这里不讲栅极GOX击穿了啊,只针对漏极电压击穿先讲*条件,都是源栅衬底都是接地,然后扫描漏极电压,直至Drain端电流达到uA。所以从器件结构上看,它的漏电通道有三条Drain到sourceDrain到BulkDrain到Gate。Drain-》Source穿通击穿这个主要是Drain加反偏电压后,使得Drain/Bulk的PN结耗尽区延展,当耗尽区碰到Source的时候,那源漏之间就不需要开启就形成了通路,所以叫做穿通punchthrough。

  小电流的开关二极管通常有点*型和键型等二极管,也有在高温下还可能工作的硅扩散型台面型和平面型二极管。开关二极管的特长是开关速度快。而肖特基型二极管的开关时间特短,因而是理想的开关二极管。AK型点*为中速开关电路用;CK型平面*为高速开关电路用;用于开关限幅钳位或检波等电路;肖特基SBD硅大电流开关,正向压降小,速度快效率高。变容二极管可以通过对其施加反向电压来改变其PN结的静电容量,从而达到变容的功能,经常于电视机高频头的*转换和调谐电路。

集电极*大允许电流I(CM ) 当三极管的β值下降到*大值的一半时,管子的集电极电流就称集电极*大允许电流。当管子的集电极电流Ic超过一定值时,将引起晶体管某些参数的变化,*明显的是β值下降。因此,实际应用时Ic要小于I(CM °)集电极*大允许耗散功率P(CM)当晶体管工作时,由于集电极要耗散一定的功率而使集电结*,当温度过高时就会*参数的变化,甚至烧毁晶体管。为此规定晶体管集电极温度升高到不至于将集电极烧毁所消耗的功率,就成为集电极*大耗散功率。使用时为*P(CM)值,可给大功率管子加上散热片,散热片愈大其P(CM)值就*得越多。集电极发射极反向击穿电压BU(CEO)当基极开路时,集电极与发射极之间允许加的*大电压。在实际应用时,加到集电极与发射极之间的电压,一定要小于BU(CEO),否则将损坏三极管。

3、电流放大系数

直流放大系数β"或用h(FE)表示。它是指无交流信号时,共发射极电路,集电极输出直流I(B)与基极输入直流几的比值。即:β=I(c)/I(B)β是衡量三极管电流放大能力的一个重要参数,但对于同一个三极管来说,在不同的集电极电流下有不同的β.交流放大系数β也可用h(FE);表示。这个参数是指有交流信号输人时,在共发射极电路中,集电极电流的变化量* AIc与基极电流的变化量*I(B)的比值。即 β=*Ic/*I(B)以上两个参数分别表明了三极管对直流电流的放大能力和对交流电流的放大能力。但由于这两个参数值近似相等,即β≈β,因此在实际使用时一般不再区分。由于生产工艺的原因,即使同一批生产的管子,其β值也是不一样的,为方便实用,厂家有时将尸值标记在三极管上,供使用者选用。

4、特征*品

因为尸值随工作*的升高而下降,*越高,β下降的越严重。三极管的特征*光是指尸值下降到1时的*值。就是说在这个*下工作的三极管,已失去放大能力,即f(T)是三极管使用中的极限*,因此在选用三极管时,一般管子的特征*品要比电路的1作*至少高出3倍以上。但不是f(T)越高越好,如果选的太高,就会引起电路的振荡。

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