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台湾达尔MOS管DIODES质量好

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整流 二极管的损坏原因

  (1)防雷、过电压保护措施不力。整流装置未设置防雷、过电压保护装置,即使设置了防雷、过电压保护装置,但其工作不可靠,因雷击或过电压而损坏整流管。

  因此,SBD也称为金属-半导体*二极管或表面势垒二极管,它是一种热载流子二极管。正向导通压降仅V左右,而整流电流却可达到几千安培。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。发光二极管发光二极管简称为LED。由镓Ga与砷AS磷P的*制成的二极管,当电子与空穴复合时能辐*可见光,因而可以用来制成发光二极管,在电路及仪器中作为指示灯,或者组成文字或数字显示。

  晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点*型和肖特基型,也被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内,根据PN结构造面的特点,把晶体二极管分类如下根据构造分类点*型二极管点*型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后,再通过电流法而形成的。

  (2)运行条件恶劣。间接传动的 发电机组,因转速之比的计算不正确或两皮带盘直径之比不符合转速之比的要求,使发电机*处于高转速下运行,而整流管也就*处于较高的电压下工作,*整流管加速老化,并被过早地 击穿损坏。

  (3)运行管理欠佳。值班运行人员工作不负责任,对外界负荷的变化(特别是在深夜零点至第二天上午6点之间)不了解,或是当外界发生了甩负荷故障,运行人员没有及时进行相应的操作处理,产生过电压而将整流管击穿损坏。

  (4)设备安装或 制造质量不过关。由于发电机组*处于较大的 振动之中运行,使整流管也处于这一振动的外力*之下;同时由于发电机组转速时高时低,使整流管承受的工作电压也随之忽高忽低地变化,这样便大大地加速了整流管的老化、损坏。

  (5)整流管规格型号不符。更换新整流管时错将工作参数不符合要求的管子换上或者接线错误,造成整流管击穿损坏。

  (6)整流管安全裕量偏小。整流管的过电压、过 电流安全裕量偏小,使整流管承受不起发电机励磁回路中发生的过电压或过电流暂态*峰值的*而损坏。

  

  内电场将阻碍多数载流子的继续扩散,又称为阻档层。下面分两种情况讨论PN结的导通特性。PN结加上正向电压将PN结的P区接电源正极,N区接电源负极,在正向电压作用下,PN结中的外电场和内电场方向相反,扩散运动和漂移运动的平衡被破坏,内电场被削弱,使空间电荷区变窄,多数载流子的扩散运动大大地超过了少数载流子的漂移运动,多数载流子很容易越过PN结,形成较大的正向电流,PN结呈现的电阻很小,因而处于导通状态。

  因PN结正向电压降小,适用于大电流整流。台面型二极管PN结的制作方法虽然与扩散型相同,但是,只保留PN结及其必要的部分,把不必要的部分品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现*面形,因而得名。初期生产的台面型,是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此,又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说,似乎大电流整流用的产品型号很少,而小电流开关用的产品型号却很多。平面型二极管在半导体单晶片主要地是N型硅单晶片上,扩散P型杂质,利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用,在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。

  整流二极管的检查方法

  首先将整流器中的整流二极管全部拆下,用 万用表的100×R或1000×R欧姆档, 测量整流二极管的两根引出线(头、尾对调各测一次)。若两次测得的 电阻值相差很大,例如电阻值大的高达几百KΩ到无穷大,而电阻值小的仅几百Ω甚至更小,说明该二极管是好的(发生了软击穿的二极管除外)。若两次测得的电阻值几乎相等,而且电阻值很小,说明该二极管已被击穿损坏,不能使用。如果两次测量的阻值都是无穷大,说明此二极管已经内部断开,不能使用。

  整流二极管的代换

  整流二极管损坏后,可以用同型号的整流二极管或参数相同其它型号整流二极管代换。

  通常,高耐压值(反向电压)的整流二极管可以代换低耐压值的整流二极管,而低耐压值的整流二极管不能代换高耐压值的整流二极管。整流电流值高的二极管可以代换整流电流值低的二极管,而整流电流值低的二极管则不能代换整流电流值高的二极管。

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